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Poids de l’Open access dans la production CNRS

Titre
V-Shaped InAs/Al0.5Ga0.5Sb Vertical Tunnel FET on GaAs (001) Substrate With I-ON=433 mu A.mu m(-1) at V-DS=0.5 V
BSO - Titre
V-Shaped InAs/Al0.5Ga0.5Sb Vertical Tunnel FET on GaAs (001) Substrate With I $_{\text {ON}}=\text {433}\,\,\mu$ A. $\mu$ m $^{-\text {1}}$ at V $_{\text {DS}}= \text {0.5}$ V
Identifiant WoS
WOS:000397338800010
Accès ouvert
OA - Oui
Source - Accès ouvert
OA - Non
Type d'accès
Editeur
Editeur

IEEE - Institute of Electrical and Electronics Engineers

Source

IEEE JOURNAL OF THE ELECTRON DEVICES SOCIETY

ISSN
2168-6734
Type de document
  • Article
Notoriété
3 - Correcte
CNRS
Oui
CNRS - Institut
  • INSIS - Institut des sciences de l'ingénierie et des systèmes
uid:/RVFHQ38D
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